其次，從供給方面來看，盡管國產(chǎn)存儲技術(shù)在近年取得了一定突破和發(fā)展，但在全球存儲芯片市場上仍面臨激烈競爭。特別是在高端市場，國產(chǎn)存儲技術(shù)與國際先進(jìn)水平仍有差距。
存儲控制芯片是存儲的核心
作為存儲器產(chǎn)品核心部件之一，存儲控制芯片起到中樞控制和管理調(diào)度的作用，是存儲器產(chǎn)品的“中央處理器”，也是存儲顆粒快速商業(yè)化落地的關(guān)鍵因素。存儲控制芯片通過控制NANDFlash存儲芯片中各個存儲單元電能的儲存及釋放實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與擦除。同時能夠識別 NANDFlash 存儲芯片中存儲單元的狀態(tài)，避開壞區(qū)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的有效寫入，并最大化利用可用區(qū)域提升 NAND Flash 存儲芯片的可用容量。
芯邦Flash技術(shù)改變行業(yè)格局
作為國內(nèi)最早布局移動存儲控制芯片的公司，深圳芯邦科技股份有限公司將存儲技術(shù)和市場應(yīng)用需求進(jìn)行了很好的結(jié)合，移動存儲控制芯片在性能、成本、優(yōu)化速度、兼容性等方面具備優(yōu)勢，改變了該領(lǐng)域一直被海外廠商壟斷供應(yīng)的歷史。其中芯邦科技的存儲控制芯片基于自主研發(fā)的32位CISC專用處理器及Flash控制算法，成功解決了flash應(yīng)用市場中控制芯片難以適應(yīng)、flash快速迭代等老大難問題，產(chǎn)品可以兼容存儲晶圓原廠的超過1000種NAND Flash存儲芯片，在壞區(qū)識別、數(shù)據(jù)糾錯能力等技術(shù)指標(biāo)方面具備優(yōu)勢，并擁有優(yōu)良的均衡擦寫算法，能夠提高移動存儲設(shè)備中NAND Flash存儲芯片的容量利用率，并在確保數(shù)據(jù)高效、準(zhǔn)確讀寫的同時，延長移動存儲設(shè)備使用壽命。
芯邦科技移動存儲控制芯片具備高密度、低成本、低功耗的優(yōu)勢，產(chǎn)品多應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲，如U盤、SD 卡、TF卡、固態(tài)硬盤等領(lǐng)域，獲得市場的廣泛認(rèn)可。隨著Flash制程、控制芯片技術(shù)的不斷進(jìn)步以及在高端封裝技術(shù)的推動下，芯邦將不斷進(jìn)行技術(shù)迭代，對存儲控制芯片軟硬件設(shè)計(jì)進(jìn)行更新，為客戶提供更加多元化的存儲解決方案。
