存儲主控芯片負(fù)責(zé)調(diào)配存儲芯片的存儲空間與速率，在存儲器中與存儲芯片搭配使用。存儲主控芯片是CPU與存儲器之間數(shù)據(jù)交換的中介，決定了存儲器最大容量、存取速度等多個重要參數(shù)。

存儲主控芯片的發(fā)展一方面要適應(yīng)并優(yōu)化不斷增長的存儲芯片容量，另一方面要適配存儲傳輸協(xié)議的代際演進(jìn)，并在存儲固件的控制下實(shí)現(xiàn)溫度管理、健康報告、壞塊管理、糾錯機(jī)制、斷電保護(hù)等。
作為國內(nèi)最早布局移動存儲控制芯片的公司，芯邦科技在移動存儲控制芯片領(lǐng)域歷經(jīng)20年的發(fā)展和創(chuàng)新。芯邦科技聚焦突破存儲顆粒架構(gòu)、提升制造工藝水平。

通過自主研發(fā)的高性能、低功耗的指令集專用處理器和ECC糾錯算法，結(jié)合獨(dú)創(chuàng)的Flash控制技術(shù)、硬件加速算法等一系列技術(shù)，提升產(chǎn)品的數(shù)據(jù)讀寫性能和數(shù)據(jù)安全保護(hù)性能，使芯片在綜合良率、實(shí)際容量及兼容性等指標(biāo)上具備較強(qiáng)的競爭力，并且降低芯片產(chǎn)品成本，增強(qiáng)競爭優(yōu)勢。

USB控制器芯片

• 采用BCH ECC糾錯算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持8192Page/Block
• 支持3D Nand flash和Toggle flash
• 支持3.3v/1.8v Flash，支持3.3v/1.8v 電壓自動trimming
• Flash電壓、電流可配，PAD/電源地可配置
• 最高頻率166MHz
• 工作電壓1.5-3.8V
• 待機(jī)電流<0.1uA，待機(jī)功耗<0.5uW（低功耗專利）

CBM2199S

• 支持3.3V/1.8V，8bit/16bit Nand Flash；
• 支持512B-8KB page size，7bit-43bit ecc糾錯能力
• 創(chuàng)新的不間斷糾錯機(jī)制；
• 支持SD/MMC 1bit/4bit Host讀卡器功能
• 支持SPI host讀卡器功能

• 采用BCH ECC糾錯算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持2KPAGE/Block
• 支持3.3v/1.8v Flash，支持3.3v/1.8v 電壓自動trimming
• PAD/電源地可配置，且LDO驅(qū)動能力支持軟件配置。
• 使用.11um RVT庫，最高頻率166MHz
• 待機(jī)電流<0.1uA，待機(jī)功耗<0.5uW（低功耗專利）

SD控制器芯片

• 支持SD2.0協(xié)議
• 采用BCH ECC糾錯算法,最高支持72bit/1K
• 采用55nm工藝，最高頻率166MHz
• 兼容Windows，Linux，MacOS，Andriod等多系統(tǒng)平臺
• 支持VCCQ 3.3V/1.8V  VCC3.3V
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持4KPAGE/Block
• 支持L型封裝

• 支持SD2.0/SD3.0協(xié)議
• 采用BCH ECC糾錯算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持8KPAGE/Block
• 支持3D Nand flash和Toggle flash
• 支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v Flash，支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v電壓自動trimming
• PAD/電源地可配置，且LDO驅(qū)動能力支持軟件配置。
• 最高頻率208MHz
• 工作電壓：1.1-3.8V
• 待機(jī)電流<0.1mA，待機(jī)功耗<0.5uW（低功耗專利）

• 支持SPI Slave協(xié)議，總線寬度支持1/2/4 bit，最高支持104MHz時鐘頻率
• 支持ONFI1.0 異步模式標(biāo)準(zhǔn)，支持8/16 bit Flash。支持最快20ns訪問速度
• 16 bitFlash最高支持2個片選；8bitFlash最高支持8個片選
• 支持2Kbyte/4Kbyte Page SLC FLASH；
• 支持4-14 bit ECC糾錯能力.
• 多樣化的數(shù)據(jù)格式管理。
• 支持8K-Bytes OTP單元, 大小可配置。
• 工作電壓：SPI工作電壓范圍3.0~3.6V，F(xiàn)lash工作電壓范圍1.6~2.0V / 3.0~3.6V
• 工藝：采用SMIC .11um工藝